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絶縁膜上にパターン形成プロセスを施し、コンタクトホールを開口する。
CVD法で金属部を埋め込む。余分な膜は研磨で除去する。
低誘導率膜等の層間絶縁膜を堆積する。次にパターン形成を行い配線となる部分(トレンチ)を開口する。
トレンチに金属膜を埋め込み余分な膜を研磨し除去する。層間絶縁膜堆積~金属膜埋め込み/研磨の一種のプロセスを必要な配線層数分繰り返す。