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Gate dielectric film formation / Gate electrode formation

熱酸化法でゲート絶縁膜（酸化膜）を形成し、さらに窒化処理をゲート絶縁膜表面に施す。つづいてCVD法でゲート電極層（多結晶シリコン膜）を形成する。

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Patterning

ゲート電極層上にパターン形成プロセスを施し、ソース・ドレイン領域をつくる。

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Ion implantation / Annealing

ソース・ドレイン領域にイオン注入法で導入した元素（ホウ素や砒素等）を打ち込む。酸化膜が残っている部分にはイオンが注入されない。その後、高温アニールによって不純物を均一に拡散させる。

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Intermetal dielectric film formation / Planarization

酸化膜をCVD法で堆積させ、層間膜を形成し、表面を研磨して平坦にする。